關於倢通:

• 本公司成立於2003年11月，經營團隊結合美國矽谷的資深工程師和科學家， 以及台灣優秀的工程人員所形成，以 GaAs 的技術發展微波射頻之前端積體電路。產品包括：功率放大器、低雜訊放大器、射頻切換器、混波降頻器等 MMIC 。以及活用於各種應用之射頻前端模組 (MCM)。
• 倢通以美國矽谷的技術為根，台灣本土市場為開始，藉著台灣獨步全球的IC代工能力，高超且便宜有效率的封裝技術作為基礎，建立無線射頻IC設計及量產之能力，最終希望能成為世界級的RF設計公司。
• 倢通主要採用砷化鎵製程發展低成本、高頻、高功率、低雜訊之MMIC，可協助顧客應用於無線通訊相關應用產品。

TM1001 以砷化鎵 HBT 的制程設計製作完成，是一個低成本、高功率且高效率的放大器積體電路，主要應用在數位無線通信系統，適用頻率 902MHz ~ 928MHz 及 2.4GHz~2.5GHz 。

 

TM1006 - GPS 低雜訊放大器

TM1006 是一顆低成本、低雜訊 IC ，設計給 GPS 應用。此顆 IC 的封裝為 3X3mm QFN 無鉛封裝。 TM1006 是一顆兩級的 GPS 低雜訊放大器，消耗的電流非常低，此顆 IC 有非常低的雜訊特性，可以改善系統的靈敏度，低的電流消耗更可以讓可攜式設備的電池工作時間更長。

 

TM1008 - DC to 3GHz RF Transistor

T M1008 是一顆低成本、低雜訊 IC ，非常適合用於 LNA 或 PA 設計之應用。此顆 IC 的包裝是採用 SOT - 343。

 

TM3001 - GaAs MMIC SPDT Switch DC – 3GHz

TM3001 是一顆 GaAs MMIC 的單刀雙擲 （SPDT）開關 IC。TM3001 具備低損失、低耗電及正電壓操作之特性。 IC 包裝是採用 SOT - 363。

 

TM3002 - GaAs MMIC DPDT Switch DC – 6GHz

TM3002 是一顆 GaAs MMIC 的雙刀雙擲（DPDT）開關 IC。操作頻率由DC至6GHz，具備寬頻、低損失、高隔離度及正電壓操作等特性。IC 包裝採用 3m m X 3m m QFN 無鉛封裝。

TM2001運用LTCC技術整合了功率放大器(PA), 低雜訊放大器(LNA)及兩組開關於5x5mm的包裝中. 是一個相當高度整合的射頻前端模組

TM2003 2.4~2.5GHz Low Power Consumption Front END Module

TM2003運用LTCC技術整合了功率放大器(PA), 低雜訊放大器(LNA)及兩組開關於4x5mm的包裝中.非常低的系統耗電,體積小,非常適合攜帶式電子產品